Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 128А

Немає в наявності
Код товару: SISS4402DN-T1-UE3
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISS4402DN-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 46,7нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,2мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 128А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 30кВт; 302,6В; 72,8А; односпрямована; ±5%; P600; 30KPA
Діод: TVS; 30кВт; 302,6В; 72,8А; односпрямована; ±5%; P600; 30KPA

874,30 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
258В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 3A; 250V

176,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,9мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-100; CuBe; 1N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-100; CuBe; 1N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 590кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 590кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A

27,88 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 4,5м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 4,5м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А

987,71 грн

Довжина кабелю:
4,5м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
Недоступний
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; RS232; 1000кбіт/с; SSOP16
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; RS232; 1000кбіт/с; SSOP16

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер лінії; приймач
Інтерфейс:
RS232
Кількість приймачів:
1
Корпус:
SSOP16
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD