Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; 33Вт

Немає в наявності
Код товару: SQS840CENW-T1_GE3
14,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS840CENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 20мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 12А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 5м; вилка; XZCP
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 5м; вилка; XZCP

1969,09 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP69K
Конструкція кабелю/переходу:
М12 "мама"
Трансформатор: литий; 1ВА; 5В; 5В; для інверторів; 200мА; SMD; 0,4Ом
Трансформатор: литий; 1ВА; 5В; 5В; для інверторів; 200мА; SMD; 0,4Ом

243,92 грн

Виводи:
для друку
Використання:
для інверторів
Вторинна напруга 1:
5В
Вторинна напруга 2:
5В
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

13,30 грн

Alias:
KGM15ACG1H561GT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Резистор: thick film; 102Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 102Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 243Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 243Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206

10,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
ИК передавач; прозора; 1710мВт; 80°; 2,45÷2,95ВDC; λp макс: 950нм
ИК передавач; прозора; 1710мВт; 80°; 2,45÷2,95ВDC; λp макс: 950нм

104,54 грн

Голівка:
опукла
Довжина хвилі у точці макс. чутливості:
950нм
Інтенсивність випромінювання:
800мВт/ср...1,12Вт/ср
Кут світіння:
80°
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13нКл