Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 182А; Idm: 534А

Немає в наявності
Код товару: SQJ138ELP-T1_GE3
34,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ138ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 78нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 182А
Струм стоку в імпульсі: 534А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Вимірювальний зонд; комплект для монтажу
Вимірювальний зонд; комплект для монтажу

6352,01 грн

Використання:
вимірювання температури; для лічильника
Обладнання стандартне:
комплект для монтажу
Супутні товари:
PVM-1020-KIT; WAADATPVCA; WAPOZUCHPV
Тип вимірювальних аксесуарів:
вимірювальний зонд
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0805

1,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,47мкФ
Недоступний
Роз’єм: штировий; планка штирова; штекерний; PIN: 6; THT; BERGSTIK
Роз’єм: штировий; планка штирова; штекерний; PIN: 6; THT; BERGSTIK

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3,05мм
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
6
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 4А; THT
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 4А; THT

4939,82 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
4А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; захист від зниженого напруги UVLO; перегрівання OTP
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0402; 125мВт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0402; 125мВт; ±1%; CRGP

0,78 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 82кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 82кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD