Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 20А; Idm: 80А; 27Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJA42EP-T1_GE3
31,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJA42EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 33нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 9,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; тросик; Cu; 26AWG; PPO; сірий; 600В; 30м; 1x26AWG
Провід; тросик; Cu; 26AWG; PPO; сірий; 600В; 30м; 1x26AWG

38,01 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 11028; VW-1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603; 330мм

1,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 270нФ; 630В; 24x13x8мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 270нФ; 630В; 24x13x8мм; THT

3,29 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±10%
Ємність:
0,27мкФ
Монтаж:
THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 4PDT; Iконтактів max: 15А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 4PDT; Iконтактів max: 15А

516,98 грн

Електрична стійкість:
150000 цикли
Зовнішні розміри:
27,7x20,7x35,8мм
Кількість пін:
14
Конфігурація контактів:
4PDT
Недоступний
Резистор: thin film; 6,65кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 6,65кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

11,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 7,15МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 7,15МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD