1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 350А; Idm: 600А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 350А; Idm: 600А
Немає в наявності
Код товару: SQJ136ELP-T1_GE3
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ136ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 107нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 350А
Струм стоку в імпульсі: 600А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X7S; ±10%; SMD; 0402; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X7S; ±10%; SMD; 0402; 330мм

0,63 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 120Ом; SMD; 3А; 0603; R: 35мОм; ±25%
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 120Ом; SMD; 3А; 0603; R: 35мОм; ±25%

1,25 грн

Допуск:
±25%
Імпеданс при 100МГц:
120Ом
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,21кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

1,39 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 51,1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 51,1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 135Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 135Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD