Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 62А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SQJ422EP-T1_GE3
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ422EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 67нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 62А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
2,7кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NS; 200В
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NS; 200В

0,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 1м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 1м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG

466,93 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
F/UTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Трансформатор: литий; 50ВА; 230ВAC; 24В; Вив: затискна планка; IP00
Трансформатор: литий; 50ВА; 230ВAC; 24В; Вив: затискна планка; IP00

1751,14 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-1; PN EN 61558-2-4; PN EN 61558-2-6
Вторинна напруга 1:
24В
Зовнішні розміри:
94x58,5x61мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 1,1кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 20МГц; RS232,SPI; SMD; DFN8; PIC12
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 20МГц; RS232,SPI; SMD; DFN8; PIC12

86,80 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
RS232; SPI
Кількість входів/виходів:
6
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 4В; X6T; ±20%; SMD; 01005; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 4В; X6T; ±20%; SMD; 01005; 180мм

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6T
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD