1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 66А; Idm: 189А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 66А; Idm: 189А
Немає в наявності
Код товару: SQJ152EP-T1_GE3
21,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ152EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136Вт
Струм стока: 66А
Струм стоку в імпульсі: 189А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід: управління; ÖLFLEX® CHAIN 809 CY; 12G0,5мм2; сірий; Cu
Провід: управління; ÖLFLEX® CHAIN 809 CY; 12G0,5мм2; сірий; Cu

422,58 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 45,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 45,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: вуглецевий; 12кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,43x28мм
Резистор: вуглецевий; 12кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,43x28мм

0,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,8мм
Довжина:
3,2мм
Допуск:
±5%
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 18,5А; Вим: 17,15x7x17,15мм
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 18,5А; Вим: 17,15x7x17,15мм

99,47 грн

Висота:
7мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Недоступний
Насадка: Torx®-bit; T20; 1/2"; 55мм; хром-ванадієва сталь; хром
Насадка: Torx®-bit; T20; 1/2"; 55мм; хром-ванадієва сталь; хром

1053,60 грн

Довжина насадки:
55мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Матеріал покриття:
хром
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0201

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,8пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD