Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 701А; 600Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJQ140E-T1_GE3
98,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ140E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 530мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 701А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; CRCW0201
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; CRCW0201

0,50 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 16А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 16А; PUR

1949,44 грн

Довжина кабелю:
0,5м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP69K
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

8,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0603

6,91 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN48; 2÷3,6ВDC; STM32F0
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN48; 2÷3,6ВDC; STM32F0

153,32 грн

Вид архітектури:
Cortex M0
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
CAN; HDMI CEC; I2C x2; SPI x2; USART x4; USB
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; однофазний; 250ВAC; Cx: 3,3мкФ; Cy: 33нФ
Фільтр: проти перешкод; однофазний; 250ВAC; Cx: 3,3мкФ; Cy: 33нФ

3575,78 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид фільтру:
однофазний
Ємність Cx:
3,3мкФ
Ємність Cy:
33нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 49,9кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 49,9кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

1,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD