Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 86,8А; Idm: 150А

Немає в наявності
Код товару: SISS10ADN-T1-BE3
24,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISS10ADN-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 40,5нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56,8Вт
Струм стока: 86,8А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
LED; SMD; 90мкд; 110°; 20мА; 606нм; 72мВт; -40÷85°C; прямокутна
LED; SMD; 90мкд; 110°; 20мА; 606нм; 72мВт; -40÷85°C; прямокутна

3,22 грн

Довжина хвилі λd:
606нм
Кількість діодів:
1
Кут світіння:
110°
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: metal film; 732кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 732кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм

1,19 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Patch cord; F/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,RJ45 кутова вилка лева
Patch cord; F/UTP; Cat 6; RJ45 вилка,RJ45 кутова вилка лева

352,89 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
F/UTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,3пФ
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±1%; SMD; 2225
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±1%; SMD; 2225

1454,01 грн

Властивості конденсаторів:
soft termination
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,15мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 9,09Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 9,09Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD