Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 25,7А; 5Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: SI4062DY-T1-GE3
117,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4062DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18,8нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: 25,7А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 6,81кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 6,81кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; SPDT; Iконтактів max: 6А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; SPDT; Iконтактів max: 6А

452,36 грн

Електрична стійкість:
60000 цикли
Зовнішні розміри:
28x5x15мм
Кількість пін:
5
Конфігурація контактів:
SPDT
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; неекранований; вилка; PUR; PUR,ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; неекранований; вилка; PUR; PUR,ПВХ

1128,36 грн

Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 16ВDC; Ø6,3x7,7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 16ВDC; Ø6,3x7,7мм; ±20%

4,69 грн

Висота:
7,7мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CRCW0805
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CRCW0805

0,87 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Вимикач двигуна; 15кВт; 220÷690ВAC; на шину DIN; IP20; -25÷55°C
Вимикач двигуна; 15кВт; 220÷690ВAC; на шину DIN; IP20; -25÷55°C

9372,79 грн

Діапазон налаштування захисту:
25...32А
Електричне під'єднування:
клемми push-in
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Connector: wire-wire; plug; female; data; SM; PIN: 4; w/o contacts
Connector: wire-wire; plug; female; data; SM; PIN: 4; w/o contacts

6,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
4
Механічний монтаж:
для проводу
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8