Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 33,4А; Idm: 180А

Немає в наявності
Код товару: SQJ460AEP-T1_GE3
35,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ460AEP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 71нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 8,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: 33,4А
Струм стоку в імпульсі: 180А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 19,6Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 19,6Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В

21,48 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Недоступний
Резистор: thin film; 86,6Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 86,6Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 100V

50,68 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

4,07 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 274кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 274кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252