Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 57А; 55Вт
Brand: VISHAY
SKU: SQJA06EP-T1_GE3
Price: 26.17 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 57А; 55Вт

Немає в наявності

Код товару: SQJA06EP-T1_GE3

26,17 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SQJA06EP-T1_GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

27нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

7,2мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

55Вт

Струм стока:

57А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷15мм; 10÷30ВDC; M30; IP67

2359,35 грн

Вид голівки:
екранований

Дальність:
0...15мм

Загальна довжина:
71мм

Кількість пін:
4

Недоступний

Бажані

Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC

2698,31 грн

Довжина кабелю:
10м

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR

Кількість пін:
5

Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-25В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В