Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI4850EY-T1-E3
115,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4850EY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2кОм; 0402; 63мВт; ±0,1%; 1x0,5x0,32мм
Резистор: thin film; 40,2кОм; 0402; 63мВт; ±0,1%; 1x0,5x0,32мм

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Модель:
ESD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,15кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,15кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,15кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,1кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
5,1кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Connector: card edge; data; soldering; Plating: gold-plated
Connector: card edge; data; soldering; Plating: gold-plated

761,53 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
паяння
Покриття контакту:
позолочений
Тип роз’єму:
краєві
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470000пФ; 630В; X7T; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470000пФ; 630В; X7T; ±20%; SMD; 2220

81,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V

105,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8