Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 146А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 146А
Brand: VISHAY
SKU: SIR580DP-T1-BE3
Price: 53.85 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIR580DP-T1-BE3

53,85 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 6000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIR580DP-T1-BE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

50,6нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

2,7мОм

Поляризація:

польовий

Струм стока:

146А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Вентилятор: DC; Ø172x51мм; осьовий; 48ВDC; 700м3/г; 69дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x2

Вид вентилятора:
осьовий

Вид підшипника:
кульковий

Довжина відводів:
0,365м

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; 900В; 8А; 130Вт; D2PAK

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
121нКл

Корпус:
HU3PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 5,2Вт; PowerPAK® SO8

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
70нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 156Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
25нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±30В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
8,3нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
10,4нКл