Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 146А

Немає в наявності
Код товару: SIR580DP-T1-BE3
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR580DP-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 50,6нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,7мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 146А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; TTL; SMD; SOIC14; ACT; 4,5÷5,5ВDC
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; TTL; SMD; SOIC14; ACT; 4,5÷5,5ВDC

8,81 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
4
Корпус:
SOIC14
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V

338,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thin film; 220Ом; прецизійний; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%
Резистор: thin film; 220Ом; прецизійний; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%

6,34 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 191Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 191Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; неекранований,прямий; 500мм
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; неекранований,прямий; 500мм

656,36 грн

Довжина кабелю:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; 70Вт; DPAK

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,26А; 45Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,26А; 45Вт; DPAK; ESD

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; DPAK; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 450В; 0,6А; 3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 450В; 0,6А; 3Вт; SOT223; ESD

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
118нКл
Корпус:
D2PAK