Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 18А; Idm: 72А

Немає в наявності
Код товару: SQSA80ENW-T1_GE3
28,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQSA80ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 72А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 42,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 42,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; LQFP48; 2÷3,6ВDC; -40÷105°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; LQFP48; 2÷3,6ВDC; -40÷105°C

244,55 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
37
Резистор: thick film; 820Ом; 2512; 2Вт; CRGP; 6,35x0,55мм
Резистор: thick film; 820Ом; 2512; 2Вт; CRGP; 6,35x0,55мм

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
820Ом
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 29; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 29; THT; straight

48,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
29мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 32мм; 1"; фосфатований
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 32мм; 1"; фосфатований

1239,23 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Відповідність стандарту:
DIN 3129; ISO 2725; UNE 16507
Довжина насадки:
62мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,05 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 23,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 23,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD