Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 12А; Idm: 20А

Немає в наявності
Код товару: SIA110DJ-T1-GE3
29,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA110DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 72мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 42; THT; angled; 3x14
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 42; THT; angled; 3x14

38,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
13,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 1кВ; 19А; фіолетовий; 1мм2
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 1кВ; 19А; фіолетовий; 1мм2

119,11 грн

Відповідність стандарту:
CAT II 1000V; CAT III 600V
Діаметр проводу макс.:
3,9мм
Колір:
фіолетовий
Макс. переріз проводу:
1мм2
Недоступний
Резистор: thick film; 1,54МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 1,54МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 7,98кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 7,98кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
7,98кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 3,83кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 3,83кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

1,12 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 25ВDC; C0G (NP0); 4,5x3,2x1,52мм
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 25ВDC; C0G (NP0); 4,5x3,2x1,52мм

426,38 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
10нФ
Робоча напруга:
25В DC
Розміри корпусу:
4,5x3,2x1,52мм
Недоступний
Резистор: thick film; 866кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 866кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404