Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 8,8А; Idm: 10А

Немає в наявності
Код товару: SIA112LDJ-T1-GE3
21,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 6000
Код товару: SIA112LDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11,8нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 135мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15,6Вт
Струм стока: 8,8А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Контактор: 3-полюсний; NO x3; 250÷500ВAC,250÷500ВDC; 40А; AF
Контактор: 3-полюсний; NO x3; 250÷500ВAC,250÷500ВDC; 40А; AF

4669,92 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Висота:
125,5мм
Конфігурація контактів:
NO x3
Монтаж:
на панель; на шину DIN
Недоступний
Резистор: thin film; 13,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 13,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Мірник: температури; цифровий,монтажний; панельний; LED; 5 цифр
Мірник: температури; цифровий,монтажний; панельний; LED; 5 цифр

5340,22 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
температури (вимагається зовнішній зонд Pt100)
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Резистор: metal film; 20кОм; THT; 1Вт; ±1%; MF; 500В; Ø5x12мм; осьові
Резистор: metal film; 20кОм; THT; 1Вт; ±1%; MF; 500В; Ø5x12мм; осьові

1,23 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5мм
Довжина:
12мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 410нФ; 275В; THT; ±10%; 22,5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 410нФ; 275В; THT; ±10%; 22,5мм

5,45 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
410нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 5В; 0,8А; SOT223
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 5В; 0,8А; SOT223

78,56 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,8А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252AA