Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 19,5А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SI7106DN-T1-E3
25,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7106DN-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 9,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,8Вт
Струм стока: 19,5А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 5; штекерний; промислова; M12 ALTW; 250В
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 5; штекерний; промислова; M12 ALTW; 250В

578,43 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Зовнішній діаметр проводу:
4,5...6,5мм
Блок живлення: імпульсний; на рейці DIN; на шину DIN
Блок живлення: імпульсний; на рейці DIN; на шину DIN

6282,32 грн

Вид блоку живлення:
на рейці DIN
Монтаж:
на шину DIN
Тип блоку живлення:
імпульсний
Недоступний
Ферит: бусина; SMD; 200мА; 0603; R: 700мОм; ±25%; Z: 1,5кОм; 100МГц
Ферит: бусина; SMD; 200мА; 0603; R: 700мОм; ±25%; Z: 1,5кОм; 100МГц

0,37 грн

Допуск:
±25%
Імпеданс:
1,5кОм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C; 500мА
Резистор: thick film; 910Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C; 500мА

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
910Ом
Недоступний
Реактор: film; SMD; 0201; 3,1нГн; 450мА; R: 0,25Ом; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 0201; 3,1нГн; 450мА; R: 0,25Ом; LQP; 180мм

0,47 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
3,1нГн
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thin film; 1,96МОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,96МОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 8; штекерний; промислова; 710; 125В; IP40
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 8; штекерний; промислова; 710; 125В; IP40

606,31 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Зовнішній діаметр проводу:
4...5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD