1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт
Немає в наявності
Код товару: SIS410DN-T1-GE3
87,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS410DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 6,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; data; 3A; PIN: 13; polarized; 2.54mm; tinned
Connector: pin strips; data; 3A; PIN: 13; polarized; 2.54mm; tinned

14,64 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
13
Клас горючості:
UL94V-0
Patch cord; S/UTP; Cat 5; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик; Cu
Patch cord; S/UTP; Cat 5; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик; Cu

3967,95 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/UTP
Резистор: thick film; 820мОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RL; 300ppm/°C
Резистор: thick film; 820мОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RL; 300ppm/°C

1,60 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V

93,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 1кВDC; 17,5мм; ±10%; 21x6,5x14мм
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 1кВDC; 17,5мм; ±10%; 21x6,5x14мм

15,40 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
17,5мм
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; PNP; на відбиття; Uживл: 10÷30ВDC; латунь
Датчик: фотоелектричний; PNP; на відбиття; Uживл: 10÷30ВDC; латунь

4863,16 грн

Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
PNP
Корпус датчика:
M18
Матеріал корпусу:
латунь
Недоступний
Резистор: metal film; 82мОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 82мОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; -55÷155°C

4,24 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
7нКл