1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 250В; 14,4А; Idm: 30А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 250В; 14,4А; Idm: 30А
Немає в наявності
Код товару: SI7190ADP-T1-RE3
71,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 6000
Код товару: SI7190ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22,4нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56,8Вт
Струм стока: 14,4А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 2A; Ø: 0.4mm; GKS-040; steel; 0.8N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 2A; Ø: 0.4mm; GKS-040; steel; 0.8N; push-in

475,80 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
0,4мм
Недоступний
Провід; HELUCONTROL® JZ-620-HMH; JZ; 5x0,75мм2; неекранований
Провід; HELUCONTROL® JZ-620-HMH; JZ; 5x0,75мм2; неекранований

197,67 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Недоступний
Резистор: thick film; 8,87МОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,87МОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,37 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
8,87МОм
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; 156Вт; 85÷264ВAC; Uвих: 24В; 6,5А
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; 156Вт; 85÷264ВAC; Uвих: 24В; 6,5А

3449,70 грн

Вид блоку живлення:
AC/DC
Вихідна напруга:
24В
Вихідний струм:
6,5А
Відповідність стандарту:
CE; cURus
Недоступний
Резистор: metal film; 232мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 232мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,52 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; THT; 68мкГн; ±15%; Вив: радіальні; 11,4x22x22мм
Реактор: дротяний; THT; 68мкГн; ±15%; Вив: радіальні; 11,4x22x22мм

66,52 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±15%
Індуктивність:
68мкГн
Монтаж:
THT
Недоступний
Роз’єм: M8; вилка; гніздовий; промислова; M8 ALTW; кутовий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; гніздовий; промислова; M8 ALTW; кутовий; IP67

542,96 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
5м
Електричний монтаж:
проводи
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404