Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 40А; 19Вт

Немає в наявності
Код товару: SIA462DJ-T1-GE3
8,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA462DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 58; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 58; THT; 1.5A; 60V

1354,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,8мм
Довжина відводів:
6,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 6,98МОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,98МОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
6,98МОм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 0.6mm; series 100; steel; 2.5N; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 0.6mm; series 100; steel; 2.5N; 20mΩ

78,56 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,4мм
Діаметр наконечника:
0,6мм
Довжина:
33,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 3,2x1,6x0,6мм
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 3,2x1,6x0,6мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Роз’єм: військовий; вилка; штекерний; військовий; PIN: 10; PT/451
Роз’єм: військовий; вилка; штекерний; військовий; PIN: 10; PT/451

2826,92 грн

Connector family:
військовий
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
MIL-DTL-26482 series I
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; SMD; TQFP100; PIC24; лоток; 16кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; SMD; TQFP100; PIC24; лоток; 16кБSRAM

554,36 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); Phase locked loop; PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C x2; IrDA; JTAG; LIN; PWM; SMBus; SPI x2; UART x2
Резистор: thick film; 6,49МОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 6,49МОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85мм
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404