Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 138,1А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SISS06DN-T1-GE3
106,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISS06DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 77нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,03мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 138,1А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X1; 330нФ; 480ВAC; 31,5x21x11мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X1; 330нФ; 480ВAC; 31,5x21x11мм

30,16 грн

Вид конденсатора:
X1
Висота:
21мм
Довжина відводів:
31,5мм
Допуск:
±20%
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 32А; 1кВ; чорний; 2,5мм2
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 32А; 1кВ; чорний; 2,5мм2

179,30 грн

Відповідність стандарту:
CAT II 1000V; CAT III 600V
Діаметр проводу макс.:
4,6мм
Колір:
чорний
Макс. переріз проводу:
2,5мм2
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 78; SMT; vertical
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 78; SMT; vertical

206,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина:
7,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Корпус конектора; "папа"; для конекторів 6,3мм з защілкою
Корпус конектора; "папа"; для конекторів 6,3мм з защілкою

35,48 грн

Вид конектора:
"папа"
Застосування - серія/виробник:
FASTIN-FASTON
Застосування роз’ємів:
для конекторів 6,3мм з защілкою
Кількість ліній:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 1,27МОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,27МОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,37 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
1,27МОм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Iвих: 2А; SIP8; THT; 33,02x22,86x11,4мм
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Iвих: 2А; SIP8; THT; 33,02x22,86x11,4мм

1590,22 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
2А
Зовнішні розміри:
33,02x22,86x11,4мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Потенціометр: осьовий; 500кОм; однообертовий; 500мВт; ±20%; 3,2мм
Потенціометр: осьовий; 500кОм; однообертовий; 500мВт; ±20%; 3,2мм

655,73 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Діаметр осі:
3,2мм
Довжина осі:
10мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD