Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт
Brand: VISHAY
SKU: SISA10DN-T1-GE3
Price: 82.36 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SISA10DN-T1-GE3

82,36 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SISA10DN-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

51нКл

Корпус:

PowerPAK® 1212-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

-16...20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

5мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

25Вт

Струм стока:

30А

Струм стоку в імпульсі:

80А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Роз’єм: живлення AC; гніздо; штекерний; роз'єм живлення; 2А

1849,98 грн

Connector family:
роз'єм живлення

Виводи:
конектори

Вид роз’єму:
штекерний

Відповідність стандарту:
CSA 22.2 No. 8 1986; EN 60320; EN 60601-1; EN 60939; EN 60950; UL 544; UL 1283

Бажані

Провід; 1x1мм2; тросик; Cu; силікон; подвійний; чорний; 1000В; 100м

303,47 грн

Будова екрану:
неекранований

Будова жили:
тросик

Вид жили:
Cu

Вміст упаковки:
100м

Недоступний

Бажані

Реєстратор даних; напруги DC,струму DC,резистансу,температури

118357,98 грн

Cенсорна панель:
так

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 5,7"

Вид датчика температури:
Cu100; Ni100; Pt100; Pt500; Pt1000; термопара B; термопара E; термопара J; термопара K; термопара L; термопара N; термопара R; термопара T

Вимір:
напруги DC; резистансу; струму DC; температури

Недоступний