Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 54А; Idm: 200А

Немає в наявності
Код товару: SISH536DN-T1-GE3
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISH536DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -12...16В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17Вт
Струм стока: 54А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C

0,35 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603; 180мм

1,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: metal film; 127мОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 127мОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; -55÷155°C

2,31 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кримпер: кабельних наконечників; ізольовані конектори; 0,5÷6мм2
Кримпер: кабельних наконечників; ізольовані конектори; 0,5÷6мм2

13006,22 грн

Довжина:
256мм
Застосування інструментів для обробки кінцівок:
ізольовані конектори
Переріз проводу:
0,5...6мм2
Тип кримпера:
кабельних наконечників
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 0,125Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 0,125Вт; ±1%; CQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 5,1В; SMD; DO213AA; 2мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 5,1В; SMD; DO213AA; 2мкА; ролик,cтрічка

216,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
5,1В
Корпус:
DO213AA
Недоступний
Роз’єм: RJ45; PIN: 8; Cat 5e; неекранований; позолочений; 8p8c; THT
Роз’єм: RJ45; PIN: 8; Cat 5e; неекранований; позолочений; 8p8c; THT

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Категорія Ethernet:
Cat 5e
Кількість пін:
8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD