Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 131А; Idm: 200А

Немає в наявності
Код товару: SIJA52ADP-T1-GE3
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIJA52ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,1мкКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 131А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal oxide; 56кОм; THT; 3Вт; ±5%; 750В; Ø6x16,5мм
Резистор: metal oxide; 56кОм; THT; 3Вт; ±5%; 750В; Ø6x16,5мм

11,09 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
Ø6x16,5мм
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TFBGA121
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TFBGA121

523,95 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMAC x8; PoR; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 66,7В; 4,1А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,4кВт; 66,7В; 4,1А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1

8,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
60В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Резистор: thin film; 26,7Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 26,7Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 1м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 1м; тросик

473,26 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Резистор: thin film; 20,5Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 20,5Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 22кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 22кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8