Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 36А; Idm: 70А; SO8

Немає в наявності
Код товару: SI4154DY-T1-GE3
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4154DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 105нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; MX150; 14В; PIN: 1; 18AWG
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; MX150; 14В; PIN: 1; 18AWG

49,42 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; компресійний
Кількість пін:
1
Колір:
червоний
Недоступний
Резистор: thick film; 38,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; 10000шт.
Резистор: thick film; 38,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; 10000шт.

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Недоступний
Резистор: thick film; 97,6кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 97,6кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 48; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 48; THT; 1.5A; 60V

1368,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
5,5мм
Довжина відводів:
12,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В; -55÷155°C

3,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; RK73B; 75В
Резистор: thick film; 4,7МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; RK73B; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 60,4кОм; SMD; 0612; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 60,4кОм; SMD; 0612; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD