1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 15А; 86Вт; TO251

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 15А; 86Вт; TO251
Немає в наявності
Код товару: WMP20N60C2
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMP20N60C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 15А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,8пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x105мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x105мм; ±20%

868,60 грн

Виводи:
болтове
Висота:
105мм
Властивості конденсаторів:
витримують великі струмові навантаження
Діаметр:
36мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X7S; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X7S; ±10%; SMD; 0402

0,90 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0402

3,48 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
1,2нФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603

8,11 грн

Alias:
C0603X105M4RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100

357,96 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PMP; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NS; 75В
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NS; 75В

0,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3-FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3

311,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4

734,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Корпус:
PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3

2122,41 грн

Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±10В
Напруга сток-джерело:
133В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT