Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 6А; 45Вт; TO262

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMN09N60C2
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMN09N60C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 940мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 6А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

2,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 1мкФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 1мкФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±10%

82,36 грн

Вид конденсатора:
X2
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 20А; DPAK; Ufmax: 0,415В; Ifsm: 150А
Діод: випрямний; SMD; 100В; 20А; DPAK; Ufmax: 0,415В; Ifsm: 150А

20,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DPAK
Недоступний
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 100ВDC; Ø18x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 100ВDC; Ø18x20мм; ±20%

226,81 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷1,2мм; 10÷30ВDC; M5; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷1,2мм; 10÷30ВDC; M5; 2м; IP67

2866,20 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...1,2мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
25,1мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247