1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 45А; Idm: 245А

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 45А; Idm: 245А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMJ80N60F2
813,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 103нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 44мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 410Вт
Струм стока: 45А
Струм стоку в імпульсі: 245А
Технологія: WMOS™ F2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 300мА; Idm: 2А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 300мА; Idm: 2А; 500мВт; SOT23

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,8нКл
Недоступний
Резистор: thin film; 8,06Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 8,06Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А

124,18 грн

Зовнішні розміри:
22,5x16,5x19мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
16А
Модель реле:
мініатюрний
Конектор: плоский; IDC; прямий; неізольований; луджений; мідь; 16мм
Конектор: плоский; IDC; прямий; неізольований; луджений; мідь; 16мм

4,72 грн

Версія наконечника:
неізольований
Електричний монтаж:
IDC
Загальна довжина:
16мм
Матеріал контакту:
мідь
Гайка; із заземленням; PG11; латунь; 21мм; Різьбл: PG; нікель
Гайка; із заземленням; PG11; латунь; 21мм; Різьбл: PG; нікель

79,83 грн

Версія введення:
із заземленням
Вид різьблення:
PG
Застосування - серія/виробник:
SKINDICHT®
Матеріал корпусу:
латунь
Резистор: thick film; 12Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 12Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT