Name: Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO263
Brand: WAYON
SKU: WMM10N80M3
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO263

Немає в наявності

Код товару: WMM10N80M3

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 800

Крок додавання: 800

Код товару:

WMM10N80M3

Виробник:

WAYON

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

TO263

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

800В

Опір в стані провідності:

1,03Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

85Вт

Струм стока:

10А

Технологія:

WMOS™ M3

Тип транзистора:

N-MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SC89

Модель:
ESD

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
330мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Ємність:
6пФ

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603

0,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
330мм

Діелектрик:
X8G

Допуск:
±2%

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
0,12мкКл

Корпус:
H2PAK-2

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
24,1нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
VSONP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
3,9нКл

Корпус:
VSON-CLIP8