Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; польовий; 40В; 20А; 65Вт

Немає в наявності
Код товару: IPG20N04S408ATMA1
101,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPG20N04S408ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 28нКл
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 7,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65Вт
Струм стока: 20А
Технологія: OptiMOS™ T2
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 15мм; DP11
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 15мм; DP11

126,08 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
15мм
Монтаж:
THT
Поверхня осі:
зі щілиною
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 5м; вилка; 60ВDC

726,69 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67В; 145,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67В; 145,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

318,04 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 2x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 2x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м

89231,61 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOIC8
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOIC8

50,05 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
N-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

115,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27,8нКл
Корпус:
DFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,6нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
27нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт

23,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

34,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В