Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; польовий; 500В; 30А; Idm: 150А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMIX2F60N50P3
1533,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMIX2F60N50P3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 96нКл
Корпус: SMPD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 320Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: HiPerFET™; Polar3™
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Час готовності: 250нс
Недоступний
Аналізатор спектру; Вхід.імп: 50Ом; 0,005÷6000МГц; LCD 5,7"; USB
Аналізатор спектру; Вхід.імп: 50Ом; 0,005÷6000МГц; LCD 5,7"; USB

708817,39 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD 5,7"
Вхідний імпеданс:
50Ом
Гарантія виробника (місяці):
36
Додаткові функції:
генератор відстеження
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; PIN: 3; правий; THT; 3,96мм
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; PIN: 3; правий; THT; 3,96мм

45,62 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 4; 10кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 4; 10кА

5389,01 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; 0-1; для вбудовування
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; 0-1; для вбудовування

2484,80 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість полюсів:
1
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65 спереду
Недоступний
Резистор: thick film; 681Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 681Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6