Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 1А; 0,96Вт; SuperSOT-6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDC3601N
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 976мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,96Вт
Струм стока: 1А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 150кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±0,5%; ARG; 150В
Резистор: thin film; 150кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±0,5%; ARG; 150В

1,34 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Ключ: накидний; двосторонній; 13мм,15мм; L: 235мм; хром
Ключ: накидний; двосторонній; 13мм,15мм; L: 235мм; хром

835,02 грн

Вид ключа:
двосторонній
Відповідність стандарту:
DIN 838; ISO 1085; ISO 3310; ISO 10104
Довжина:
235мм
Матеріал:
інструментальна сталь
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 27Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
27Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 14кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 14кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
14кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 324Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 324Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
324Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 806Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 806Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

4,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD