1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 6,9А; Idm: 39А; 32Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 6,9А; Idm: 39А; 32Вт
Немає в наявності
Код товару: BUK7K134-100EX
68,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK7K134-100EX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 10,5нКл
Корпус: LFPAK33; SOT1210
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 335мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 32Вт
Струм стока: 6,9А
Струм стоку в імпульсі: 39А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1812

40,55 грн

Alias:
KGM43BR72A334KV
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: metal film; 17,2кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 17,2кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: metal film; 120Ом; SMD; 300мВт; ±1%; 150В; Ø1,1x2,2мм
Резистор: metal film; 120Ом; SMD; 300мВт; ±1%; 150В; Ø1,1x2,2мм

1,33 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
Ø1,1x2,2мм
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
1220
Недоступний
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
IC: PMIC; випрямляч,тригер Шмітта,синхронний; Uвх: 4,5÷28В; buck
IC: PMIC; випрямляч,тригер Шмітта,синхронний; Uвх: 4,5÷28В; buck

153,32 грн

Вид об'єднаної схеми:
випрямляч; синхронний; тригер Шмітта
Вихідна напруга:
0,7В
Вихідний струм:
20А
Вхідна напруга:
4,5...28В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6