1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,55А; 400мВт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,55А; 400мВт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PMGD280UN,115
10,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMGD280UN,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,89нКл
Корпус: SC88; SOT363; TSSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,66Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 0,55А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,5А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,5А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±10%

165,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

21,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Tap: inch; UNC 3/4"; 10; L: 125mm; Holder: square,machine; 14mm; 2B
Tap: inch; UNC 3/4"; 10; L: 125mm; Holder: square,machine; 14mm; 2B

1658,64 грн

Type of tap:
дюймове
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів; нержавіюча сталь
Довжина:
125мм
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: EM8500; перетворювач DC/DC
Click board; макетна плата; Комп: EM8500; перетворювач DC/DC

1548,41 грн

Вид модуля:
перетворювач DC/DC
Інтерфейс:
I2C
Компоненти:
EM8500
Напруга живлення:
3,3В DC; 5В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 2,5кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 2,5кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
MOSFET H-Bridge
Корпус:
SO8