Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6

Немає в наявності
Код товару: US6K4TR
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: US6K4TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,8нКл
Корпус: TUMT6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,31Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 1,5А
Струм стоку в імпульсі: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 25Вт; 8÷26ВDC; Ch: 2; Клас підсил: D; 8Ом
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 25Вт; 8÷26ВDC; Ch: 2; Клас підсил: D; 8Ом

178,66 грн

Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
25Вт
Імпеданс:
8Ом
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 0603

1,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; ERJ8BQF
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; ERJ8BQF

14,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 332Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 332Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

65,26 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; SMT; straight

74,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,6мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6