1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4; ESD

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4; ESD
Немає в наявності
Код товару: CSD85302LT
88,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD85302LT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PICOSTAR4
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 36мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP80; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP80; 3÷3,6ВDC; DSPIC

428,28 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); motor controller; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,91кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 1,91кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

138,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 1А; 625мВт; SOT363
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 1А; 625мВт; SOT363

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 909кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 909кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

42,45 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6