1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SSM6N40TU,LXGF
5,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: SSM6N40TU,LXGF
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,1нКл
Корпус: UF6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 182мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 1,6А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 3,24кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 3,24кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 4,64кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 4,64кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,1пФ
IC: перетворювач f/U; Ch: 1; 50мА; 6÷28ВDC; DIP14; 0,3%; -40÷85°C
IC: перетворювач f/U; Ch: 1; 50мА; 6÷28ВDC; DIP14; 0,3%; -40÷85°C

127,34 грн

Вихідний струм:
50мА
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP14
Лінійність:
0,3%
Недоступний
Кристал; 14,7456МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 14,7456МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm

9,25 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Резистор: thin film; 42,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 42,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 68,1Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 68,1Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
MOSFET H-Bridge
Корпус:
SO8