Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJT7800_R1_00001
7,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,6нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 1А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Монтажний тримач; поліетилен; FlexiPipe; сірий; Розмір: 16
Монтажний тримач; поліетилен; FlexiPipe; сірий; Розмір: 16

1,58 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
для обплетень; захисна трубка; захисні труби
Колір:
сірий
Матеріал:
поліетилен
Робоча температура:
-15...80°C
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В

0,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Потенціометр: монтажний; 20кОм; однообертовий; горизонтальний
Потенціометр: монтажний; 20кОм; однообертовий; горизонтальний

17,49 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Висота:
6мм
Діаметр:
15мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 29,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 29,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 80,6Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 80,6Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 1.5A

238,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Резистор: thick film; 1,02кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,02кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

1,50 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363