1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт
Немає в наявності
Код товару: EM6K7T2CR
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: EM6K7T2CR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT563
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 4,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,15Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 0,4А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 1812; 750мВт; ±5%; 200В

1,04 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1812
Корпус - мм:
4532
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Резистор: thin film; 1,8кОм; 0204; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 1,8кОм; 0204; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 50ppm/°C

1,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0204
Корпус - мм:
0510
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 833мА
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 833мА

1218,96 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідна напруга 2:
-24В DC
Вихідний струм:
0,833А
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 6,9÷28В; Uвих: 28В; SOP8; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 6,9÷28В; Uвих: 28В; SOP8; SMD

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вихідна напруга:
28В
Вхідна напруга:
6,9...28В
Корпус:
SOP8
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 200В; 10Аx2; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 200В; 10Аx2; ролик,cтрічка

105,80 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 5; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

13191,86 грн

Довжина кабелю:
25м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363