Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; 960мВт; TSSOP8

Немає в наявності
Код товару: AO8814
17,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AO8814
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 15,4нКл
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,96Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Струм стока: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 24,3Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; осьові
Резистор: thin film; 24,3Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; осьові

15,14 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: керамічний; 3,3Ом; THT; 1Вт; ±10%; PCF; 300В; -40÷200°C
Резистор: керамічний; 3,3Ом; THT; 1Вт; ±10%; PCF; 300В; -40÷200°C

23,00 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16,5мм
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 144МГц; LQFP64; 2,7÷3,6ВDC; Cmp: 1
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 144МГц; LQFP64; 2,7÷3,6ВDC; Cmp: 1

66,52 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PWM
Інтерфейс:
I2C x2; I2S x3; I3C; LPUART; SPI x3; UART x2; USART x3; USB
Кількість входів/виходів:
52
Недоступний
Резистор: thick film; 33мОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJ3BWF
Резистор: thick film; 33мОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJ3BWF

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 3,3мкГн; ±30%; 1,2А; Вим: 3x3x1,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 3,3мкГн; ±30%; 1,2А; Вим: 3x3x1,5мм

11,85 грн

Висота:
1,5мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
3,3мкГн
Корпус - дюйм:
1212
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 60В; DO214AB,SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 60В; DO214AB,SMC; Ch: 1; -65÷150°C

207,17 грн

Ємність:
0,1нФ
Зворотна напруга макс.:
54В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 5А; 2Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 5А; 2Вт; ESD

10,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4нКл
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 21Вт; HSOP8

46,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,9нКл
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8