Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 60/100А; 21/42Вт; PQFN8

Немає в наявності
Код товару: FDPC8016S
116,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDPC8016S
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25/67нКл
Корпус: PQFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 3,8/1,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 21/42Вт
Структура напівпровідника: асиметрична
Струм стока: 60/100А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 324кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В
Резистор: thick film; 324кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2нФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0805; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2нФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0805; 330мм

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-912; steel; 1.5N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-912; steel; 1.5N; plug-in

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
самоочищення
Діаметр наконечника:
1мм
Недоступний
Резистор: thin film; 7,68кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 7,68кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Вага; електронна,складська; Навант.вагі макс: 150кг; -10÷40°C
Вага; електронна,складська; Навант.вагі макс: 150кг; -10÷40°C

97586,92 грн

Батарея/акумулятор:
немає
Вид ваги:
електронна; складська
Вид вжитого дисплея:
Dot matrix
Властивості складських пристроїв:
застереження від перевантаженням
Connector: pin strips; male; data; PIN: 8; SMT; Inom: 3A; 250V; 2.54mm
Connector: pin strips; male; data; PIN: 8; SMT; Inom: 3A; 250V; 2.54mm

18,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
8
Недоступний
Резистор: thick film; 196кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 196кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363