Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,9А; Idm: 9,6А; 0,32Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN3190LDW-7
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3190LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,32Вт
Струм стока: 0,9А
Струм стоку в імпульсі: 9,6А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 250ВDC; Ø12,5x13,5мм
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 250ВDC; Ø12,5x13,5мм

11,28 грн

Висота:
13,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1210

3,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 720Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 720Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,41 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 301Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В
Резистор: thin film; 301Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В

0,82 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
LED; у корпусі; червоний; К-ть діодів: 2; 3мм; 20мА; 45°; 30мкд; 2ВDC
LED; у корпусі; червоний; К-ть діодів: 2; 3мм; 20мА; 45°; 30мкд; 2ВDC

57,65 грн

Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
635нм
Кількість діодів:
2
Колір діода LED:
червоний
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

1,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85мм
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10нФ
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363