1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,5А; Idm: 6А; 1Вт; TUMT6

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,5А; Idm: 6А; 1Вт; TUMT6
Немає в наявності
Код товару: US6K1TR
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: US6K1TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,6нКл
Корпус: TUMT6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,34Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 1,5А
Струм стоку в імпульсі: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резисторна зборка: Y; 47кОм; Кіл-ть резисторів: 7; 800мВт
Резисторна зборка: Y; 47кОм; Кіл-ть резисторів: 7; 800мВт

0,00 грн

Кількість резисторів:
7
Опір:
47кОм
Потужність:
0,8Вт
Робоча температура:
-55...125°C
Резистор: metal film; 4,99кОм; 200мВт; ±1%; -55÷155°C; 50ppm/°C
Резистор: metal film; 4,99кОм; 200мВт; ±1%; -55÷155°C; 50ppm/°C

1,48 грн

Діаметр:
1,1мм
Довжина:
2,2мм
Допуск:
±1%
Опір:
4,99кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,55 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1812
Корпус - мм:
4532
Недоступний
Резистор: thin film; 21,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 21,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

35,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик

1656,11 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа" кутовий,з обох сторін
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа" кутовий,з обох сторін

726,05 грн

Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 2,74МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,74МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD