Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 40А; Idm: 305А; 64Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK9K5R6-30EX
76,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK9K5R6-30EX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 22,6нКл
Корпус: LFPAK33; SOT1210
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 64Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 305А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 3A; 250V

118,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,6мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V

153,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; PUR

4740,25 грн

Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 2,67кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,67кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Циркулярна абразивна стрічка; W: 75мм; L: 533мм
Циркулярна абразивна стрічка; W: 75мм; L: 533мм

340,22 грн

Використання інструментів:
for belt sanders; дерево; для зняття фарби; для полірування металу; пластик
Довжина:
533мм
Тип аксесуарів для електричних інструментів:
циркулярна абразивна стрічка
Ширина:
75мм
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 8А; 8A/250ВAC; Card E
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 8А; 8A/250ВAC; Card E

1262,04 грн

Зовнішні розміри:
28x10,4x25,1мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
8А
Матеріал контакту:
AgNi
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; UFQFPN32; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; UFQFPN32; -40÷85°C

209,07 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Інтерфейс:
GPIO; I2C; IrDA; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
20
Корпус:
UFQFPN32
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6