Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: AO4854
12,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AO4854
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 7,5нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 19мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 6,5А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 15м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 15м; вилка; 60ВDC

3034,09 грн

Довжина кабелю:
15м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
TCVCXO; 26МГц; 10пФ; ±0,5ppm; ±1ppm/рік; 2x1,6x0,7мм; 3В; -40÷85°C
TCVCXO; 26МГц; 10пФ; ±0,5ppm; ±1ppm/рік; 2x1,6x0,7мм; 3В; -40÷85°C

197,04 грн

Довготривала стабільність:
±1ppm/рік
Ємність:
10пФ
Робоча напруга:
3В
Робоча температура:
-40...85°C
Гніздо; гніздовий; 125В; PIN: 17; кутовий; на панель,на PCB; THT
Гніздо; гніздовий; 125В; PIN: 17; кутовий; на панель,на PCB; THT

1245,57 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
17
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 2512; 3Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 2512; 3Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

6,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8