Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; Idm: 30А; 1,3Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: AO4812
9,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AO4812
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 5,2нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC

952,86 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
0,278А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 110МГц; UFQFPN48; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 110МГц; UFQFPN48; 1,71÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN FD; GPIO; I2C; SAI; SPI; USART; USB FS
Кількість входів/виходів:
38/36
Недоступний
Резистор: thin film; 493кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 493кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

4,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,1пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 1206; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 1206; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6x0,5мм
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 60ВDC; 30А; нікельований
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 60ВDC; 30А; нікельований

214,77 грн

Матеріал контакту:
латунь
Модель роз’єму:
подвійні
Монтаж:
гвинтовий затиск; на панель; пригвинчуваний
Номінальна напруга:
60В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; ERJ14YJ; 200В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; ERJ14YJ; 200В

2,54 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6