1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8
Немає в наявності
Код товару: SH8KA4TB
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SH8KA4TB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15,5нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 28,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Connector: wire-board; male; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 3; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 3; shrouded

52,20 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

0,00 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
4,7нФ
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%

38,65 грн

Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 25А; Полюси: 4
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 25А; Полюси: 4

4389,89 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
4
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 10ВDC; SMD; E; 2917; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 10ВDC; SMD; E; 2917; ±10%; TAJ

63,99 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
220мкФ
Корпус:
E
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; LFBGA144; 512кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка
IC: мікроконтролер ARM; LFBGA144; 512кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка

653,19 грн

Вид архітектури:
ARM; Cortex M7
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
DAC; EBI; EMI; I2C; I2C x3; I2S; IrDA; MMC; QSPI; SPI x5; UART; UART x8; USART; USB
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6