Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; PowerPAIR® 6x5

Немає в наявності
Код товару: SIZ988DT-T1-GE3
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ988DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAIR® 6x5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Датчик: тиску; 2069мбар; OUT: аналоговий; -40÷125°C
Датчик: тиску; 2069мбар; OUT: аналоговий; -40÷125°C

5658,90 грн

Діапазон вимірювання тиску:
2069мбар
Конфігурація виходу:
аналоговий
Робоча температура:
-40...125°C
Тип датчика:
тиску
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм

0,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Резистор: thin film; 33,2кОм; 63мВт; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 33,2кОм; 63мВт; 1x0,5x0,3мм

17,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Опір:
33,2кОм
Потужність:
63мВт
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА

14600,88 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
11В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 10В; 194,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 10В; 194,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

809,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
9В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення

37,63 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Тип роз’єму:
роз'єднувальна клемова рейка
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6