Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8

Name: Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8
Brand: ONSEMI
SKU: ECH8657-TL-H
Price: 55.12 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: ECH8657-TL-H

55,12 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

ECH8657-TL-H

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

4,6нКл

Корпус:

ECH8

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

35В

Опір в стані провідності:

59мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,5Вт

Струм стока:

4,5А

Струм стоку в імпульсі:

30А

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT363

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2нКл

Корпус:
TSOP6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
MicroFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Використання:
автомобільна галузь

Корпус:
SOT363